onsemi (Ansemi)
Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
1N5821G 30V 3A 900mV@9.4A Schottky Barrier Rectifier, 3.0 A, 30 V

1N5821G

30V 3A [email protected] Schottky Barrier Rectifier, 3.0 A, 30 V
Mã sản phẩm
1N5821G
Loại
Diodes > General Purpose Diodes
Nhà sản xuất/Thương hiệu
onsemi (Ansemi)
đóng gói
DO-27
đóng gói
boxed
Số lượng gói
500
Sự miêu tả
The Schottky rectifier uses the Schottky barrier principle and uses a large area metal-silicon power diode. The advanced geometry of this Schottky rectifier features chromium barrier metal, epitaxial structure with oxide passivation, and metal-covered contacts. The rectifier is suitable for low-voltage high-frequency inverters, freewheeling diodes and polarity protection diodes.
Yêu cầu báo giá
Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.
Trong kho 87274 PCS
Thông tin liên lạc
Từ khóa của 1N5821G
1N5821G Linh kiện điện tử
1N5821G Việc bán hàng
1N5821G Nhà cung cấp
1N5821G Nhà phân phối
1N5821G Bảng dữ liệu
1N5821G Ảnh
1N5821G Giá
1N5821G Lời đề nghị
1N5821G Giá thấp nhất
1N5821G Tìm kiếm
1N5821G Thu mua
1N5821G Chip