onsemi (Ansemi)
Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
MMBT5551M3T5G NPN 160V 60mA High Voltage NPN Bipolar Transistor

MMBT5551M3T5G

NPN 160V 60mA High Voltage NPN Bipolar Transistor
Mã sản phẩm
MMBT5551M3T5G
Loại
Triode/MOS Tube/Transistor > Triode(BJT)
Nhà sản xuất/Thương hiệu
onsemi (Ansemi)
đóng gói
SOT-723
đóng gói
taping
Số lượng gói
8000
Sự miêu tả
This high voltage NPN bipolar transistor is a spin-off of our popular SOT-23 3-lead device. The device is suitable for general switching applications and comes in a SOT-723 surface mount encapsulation. The device is suitable for low power surface mount applications where board space is at a premium.
Yêu cầu báo giá
Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.
Trong kho 58849 PCS
Thông tin liên lạc
Từ khóa của MMBT5551M3T5G
MMBT5551M3T5G Linh kiện điện tử
MMBT5551M3T5G Việc bán hàng
MMBT5551M3T5G Nhà cung cấp
MMBT5551M3T5G Nhà phân phối
MMBT5551M3T5G Bảng dữ liệu
MMBT5551M3T5G Ảnh
MMBT5551M3T5G Giá
MMBT5551M3T5G Lời đề nghị
MMBT5551M3T5G Giá thấp nhất
MMBT5551M3T5G Tìm kiếm
MMBT5551M3T5G Thu mua
MMBT5551M3T5G Chip