TI (Texas Instruments)
Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
UCC27712DR
Half-bridge IGBT MOSFET sink current 2.8A source current 1.8A
Mã sản phẩm
UCC27712DR
Loại
Power Chip > Gate Driver IC
Nhà sản xuất/Thương hiệu
TI (Texas Instruments)
đóng gói
SOIC-8
đóng gói
taping
Số lượng gói
2500
Sự miêu tả
UCC27712 620-V high-side/low-side gate driver with 2.5-A peak output and robust drive capability
Yêu cầu báo giá
Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.
Trong kho 61196 PCS
Thông tin liên lạc
Những sảm phẩm tương tự
Từ khóa của UCC27712DR
UCC27712DR Linh kiện điện tử
UCC27712DR Việc bán hàng
UCC27712DR Nhà cung cấp
UCC27712DR Nhà phân phối
UCC27712DR Bảng dữ liệu
UCC27712DR Ảnh
UCC27712DR Giá
UCC27712DR Lời đề nghị
UCC27712DR Giá thấp nhất
UCC27712DR Tìm kiếm
UCC27712DR Thu mua
UCC27712DR Chip