Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
ALD212900APAL
MOSFET 2N-CH 10.6V 0.08A 8DIP
Mã sản phẩm
ALD212900APAL
Nhà sản xuất/Thương hiệu
Loạt
EPAD®, Zero Threshold™
Trạng thái một phần
Active
Bao bì
Tube
Nhiệt độ hoạt động
0°C ~ 70°C (TJ)
Kiểu lắp
Through Hole
Gói / Thùng
8-DIP (0.300", 7.62mm)
Sức mạnh tối đa
500mW
Gói thiết bị của nhà cung cấp
8-PDIP
Loại FET
2 N-Channel (Dual) Matched Pair
Tính năng FET
Logic Level Gate
Xả điện áp nguồn (Vdss)
10.6V
Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C
80mA
Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS
14 Ohm
Vss(th) (Tối đa) @ Id
10mV @ 20µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS
-
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds
30pF @ 5V
Yêu cầu báo giá
Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.
Trong kho 38458 PCS
Thông tin liên lạc
Những sảm phẩm tương tự
Từ khóa của ALD212900APAL
ALD212900APAL Linh kiện điện tử
ALD212900APAL Việc bán hàng
ALD212900APAL Nhà cung cấp
ALD212900APAL Nhà phân phối
ALD212900APAL Bảng dữ liệu
ALD212900APAL Ảnh
ALD212900APAL Giá
ALD212900APAL Lời đề nghị
ALD212900APAL Giá thấp nhất
ALD212900APAL Tìm kiếm
ALD212900APAL Thu mua
ALD212900APAL Chip