Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
ALD212908PAL
MOSFET 2N-CH 10.6V 0.08A 8DIP
Mã sản phẩm
ALD212908PAL
Nhà sản xuất/Thương hiệu
Loạt
EPAD®, Zero Threshold™
Trạng thái một phần
Active
Bao bì
Tube
Nhiệt độ hoạt động
0°C ~ 70°C (TJ)
Kiểu lắp
Through Hole
Gói / Thùng
8-DIP (0.300", 7.62mm)
Sức mạnh tối đa
500mW
Gói thiết bị của nhà cung cấp
8-PDIP
Loại FET
2 N-Channel (Dual) Matched Pair
Tính năng FET
Logic Level Gate
Xả điện áp nguồn (Vdss)
10.6V
Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C
80mA
Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS
-
Vss(th) (Tối đa) @ Id
20mV @ 10µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS
-
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds
-
Yêu cầu báo giá
Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.
Trong kho 16232 PCS
Thông tin liên lạc
Những sảm phẩm tương tự
Từ khóa của ALD212908PAL
ALD212908PAL Linh kiện điện tử
ALD212908PAL Việc bán hàng
ALD212908PAL Nhà cung cấp
ALD212908PAL Nhà phân phối
ALD212908PAL Bảng dữ liệu
ALD212908PAL Ảnh
ALD212908PAL Giá
ALD212908PAL Lời đề nghị
ALD212908PAL Giá thấp nhất
ALD212908PAL Tìm kiếm
ALD212908PAL Thu mua
ALD212908PAL Chip