Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
AS4C16M32MD1-5BCN
IC SDRAM 512MBIT 200MHZ 90BGA
Mã sản phẩm
AS4C16M32MD1-5BCN
Nhà sản xuất/Thương hiệu
Loạt
-
Trạng thái một phần
Active
Bao bì
Tray
Công nghệ
SDRAM - Mobile LPDDR
Nhiệt độ hoạt động
-25°C ~ 85°C (TJ)
Kiểu lắp
Surface Mount
Gói / Thùng
90-VFBGA
Gói thiết bị của nhà cung cấp
90-FBGA (8x13)
Cung cấp điện áp
1.7 V ~ 1.95 V
Loại bộ nhớ
Volatile
Kích thước bộ nhớ
512Mb (16M x 32)
Thời gian truy cập
5ns
Tần số đồng hồ
200MHz
Định dạng bộ nhớ
DRAM
Thời gian chu kỳ viết - Word, Page
15ns
Giao diện bộ nhớ
Parallel
Yêu cầu báo giá
Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.
Trong kho 39987 PCS
Thông tin liên lạc
Những sảm phẩm tương tự
Từ khóa của AS4C16M32MD1-5BCN
AS4C16M32MD1-5BCN Linh kiện điện tử
AS4C16M32MD1-5BCN Việc bán hàng
AS4C16M32MD1-5BCN Nhà cung cấp
AS4C16M32MD1-5BCN Nhà phân phối
AS4C16M32MD1-5BCN Bảng dữ liệu
AS4C16M32MD1-5BCN Ảnh
AS4C16M32MD1-5BCN Giá
AS4C16M32MD1-5BCN Lời đề nghị
AS4C16M32MD1-5BCN Giá thấp nhất
AS4C16M32MD1-5BCN Tìm kiếm
AS4C16M32MD1-5BCN Thu mua
AS4C16M32MD1-5BCN Chip