Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
AS4C4M32S-6BIN
IC SDRAM 128MBIT 166MHZ 90BGA
Mã sản phẩm
AS4C4M32S-6BIN
Nhà sản xuất/Thương hiệu
Loạt
-
Trạng thái một phần
Active
Bao bì
Tray
Công nghệ
SDRAM
Nhiệt độ hoạt động
-40°C ~ 85°C (TA)
Kiểu lắp
Surface Mount
Gói / Thùng
90-TFBGA
Gói thiết bị của nhà cung cấp
90-TFBGA (8x13)
Cung cấp điện áp
3 V ~ 3.6 V
Loại bộ nhớ
Volatile
Kích thước bộ nhớ
128Mb (4M x 32)
Thời gian truy cập
5.4ns
Tần số đồng hồ
166MHz
Định dạng bộ nhớ
DRAM
Thời gian chu kỳ viết - Word, Page
2ns
Giao diện bộ nhớ
Parallel
Yêu cầu báo giá
Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.
Trong kho 53045 PCS
Thông tin liên lạc
Những sảm phẩm tương tự
Từ khóa của AS4C4M32S-6BIN
AS4C4M32S-6BIN Linh kiện điện tử
AS4C4M32S-6BIN Việc bán hàng
AS4C4M32S-6BIN Nhà cung cấp
AS4C4M32S-6BIN Nhà phân phối
AS4C4M32S-6BIN Bảng dữ liệu
AS4C4M32S-6BIN Ảnh
AS4C4M32S-6BIN Giá
AS4C4M32S-6BIN Lời đề nghị
AS4C4M32S-6BIN Giá thấp nhất
AS4C4M32S-6BIN Tìm kiếm
AS4C4M32S-6BIN Thu mua
AS4C4M32S-6BIN Chip