Mua Comchip Technology 1N4007T-G DIODE GEN PURP 1KV 1A DO41

Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.

DataSheets

1N4007T-G

DIODE GEN PURP 1KV 1A DO41

Mã sản phẩm

1N4007T-G

Nhà sản xuất/Thương hiệu

Comchip Technology

Loạt

Trạng thái một phần

Active

Bao bì

Cut Tape (CT)

Kiểu lắp

Through Hole

Gói / Thùng

DO-204AL, DO-41, Axial

Gói thiết bị của nhà cung cấp

DO-41

Loại điốt

Standard

Hiện tại - Chỉnh lưu trung bình (Io)

Điện áp - Chuyển tiếp (Vf) (Tối đa) @ If

1.1V @ 1A

Hiện tại - Rò rỉ ngược @ Vr

5µA @ 1000V

Điện áp - DC ngược (Vr) (Tối đa)

1000V

Tốc độ

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Thời gian phục hồi ngược (trr)

Nhiệt độ hoạt động - Ngã ba

-55°C ~ 150°C

Điện dung @ Vr, F

15pF @ 4V, 1MHz

Yêu cầu báo giá

Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.

Trong kho 9783 PCS

Thông tin liên lạc