TB10S-G
BRIDGE RECT 1P 1KV 800MA 4TBS
Mã sản phẩm
TB10S-G
Nhà sản xuất/Thương hiệu
Trạng thái một phần
Obsolete
Công nghệ
Standard
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 150°C (TJ)
Kiểu lắp
Surface Mount
Gói / Thùng
4-SMD, Gull Wing
Gói thiết bị của nhà cung cấp
4-TBS
Loại điốt
Single Phase
Điện áp - Đảo ngược cực đại (Tối đa)
1kV
Hiện tại - Chỉnh lưu trung bình (Io)
800mA
Điện áp - Chuyển tiếp (Vf) (Tối đa) @ If
950mV @ 400mA
Hiện tại - Rò rỉ ngược @ Vr
10µA @ 1000V
Yêu cầu báo giá
Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.
Trong kho 47535 PCS
Thông tin liên lạc
Những sảm phẩm tương tự
Từ khóa của TB10S-G
TB10S-G Linh kiện điện tử
TB10S-G Việc bán hàng
TB10S-G Nhà cung cấp
TB10S-G Nhà phân phối
TB10S-G Bảng dữ liệu
TB10S-G Ảnh
TB10S-G Giá
TB10S-G Lời đề nghị
TB10S-G Giá thấp nhất
TB10S-G Tìm kiếm
TB10S-G Thu mua
TB10S-G Chip