Mua Diodes Incorporated DMN1016UCB6-7 MOSFET N-CH 12V 5.5A U-WLB1510-6

Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.

DataSheets

DMN1016UCB6-7

MOSFET N-CH 12V 5.5A U-WLB1510-6

Mã sản phẩm

DMN1016UCB6-7

Nhà sản xuất/Thương hiệu

Diodes Incorporated

Loạt

Trạng thái một phần

Active

Bao bì

Cut Tape (CT)

Công nghệ

MOSFET (Metal Oxide)

Nhiệt độ hoạt động

-55°C ~ 150°C (TJ)

Kiểu lắp

Surface Mount

Gói / Thùng

6-UFBGA, WLBGA

Gói thiết bị của nhà cung cấp

U-WLB1510-6

Tản điện (Tối đa)

920mW (Ta)

Loại FET

N-Channel

Tính năng FET

Xả điện áp nguồn (Vdss)

12V

Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C

5.5A (Ta)

Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS

20 mOhm @ 1.5A, 4.5V

Vss(th) (Tối đa) @ Id

1V @ 250µA

Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS

4.2nC @ 4.5V

Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds

423pF @ 6V

Điện áp truyền động (Bật đường tối đa, Bật đường tối thiểu)

2.5V, 4.5V

VSS (Tối đa)

±8V

Yêu cầu báo giá

Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.

Trong kho 11086 PCS

Thông tin liên lạc

Những sảm phẩm tương tự

DMN100-7-F

MOSFET N-CH 30V 1.1A SC59-3