Mua Diodes Incorporated DMN1033UCB4-7 MOSFET 2N-CH 12V U-WLB1818-4

Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.

DataSheets

DMN1033UCB4-7

MOSFET 2N-CH 12V U-WLB1818-4

Mã sản phẩm

DMN1033UCB4-7

Nhà sản xuất/Thương hiệu

Diodes Incorporated

Loạt

Trạng thái một phần

Active

Bao bì

Cut Tape (CT)

Nhiệt độ hoạt động

-55°C ~ 150°C (TJ)

Kiểu lắp

Surface Mount

Gói / Thùng

4-UFBGA, WLBGA

Sức mạnh tối đa

1.45W

Gói thiết bị của nhà cung cấp

U-WLB1818-4

Loại FET

2 N-Channel (Dual) Common Drain

Tính năng FET

Logic Level Gate

Xả điện áp nguồn (Vdss)

Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C

Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS

Vss(th) (Tối đa) @ Id

Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS

37nC @ 4.5V

Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds

Yêu cầu báo giá

Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến chen_hx1688@hotmail.com, chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.

Trong kho 34728 PCS

Thông tin liên lạc

Những sảm phẩm tương tự

DMN100-7-F

MOSFET N-CH 30V 1.1A SC59-3