DMN2014LHAB-7
MOSFET 2N-CH 20V 9A 6-UDFN
Mã sản phẩm
DMN2014LHAB-7
Nhà sản xuất/Thương hiệu
Loạt
-
Trạng thái một phần
Active
Bao bì
Cut Tape (CT)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 150°C (TJ)
Kiểu lắp
Surface Mount
Gói / Thùng
6-UFDFN Exposed Pad
Sức mạnh tối đa
800mW
Gói thiết bị của nhà cung cấp
U-DFN2030-6 (Type B)
Loại FET
2 N-Channel (Dual)
Tính năng FET
Logic Level Gate
Xả điện áp nguồn (Vdss)
20V
Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C
9A
Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS
13 mOhm @ 4A, 4.5V
Vss(th) (Tối đa) @ Id
1.1V @ 250µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS
16nC @ 4.5V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds
1550pF @ 10V
Yêu cầu báo giá
Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.
Trong kho 51040 PCS
Thông tin liên lạc
Những sảm phẩm tương tự
Từ khóa của DMN2014LHAB-7
DMN2014LHAB-7 Linh kiện điện tử
DMN2014LHAB-7 Việc bán hàng
DMN2014LHAB-7 Nhà cung cấp
DMN2014LHAB-7 Nhà phân phối
DMN2014LHAB-7 Bảng dữ liệu
DMN2014LHAB-7 Ảnh
DMN2014LHAB-7 Giá
DMN2014LHAB-7 Lời đề nghị
DMN2014LHAB-7 Giá thấp nhất
DMN2014LHAB-7 Tìm kiếm
DMN2014LHAB-7 Thu mua
DMN2014LHAB-7 Chip