DMN2016LHAB-7
MOSFET 2N-CH 20V 7.5A 6UDFN
Mã sản phẩm
DMN2016LHAB-7
Nhà sản xuất/Thương hiệu
Loạt
-
Trạng thái một phần
Active
Bao bì
Cut Tape (CT)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 150°C (TJ)
Kiểu lắp
Surface Mount
Gói / Thùng
6-UDFN Exposed Pad
Sức mạnh tối đa
1.2W
Gói thiết bị của nhà cung cấp
U-DFN2030-6
Loại FET
2 N-Channel (Dual) Common Drain
Tính năng FET
Logic Level Gate
Xả điện áp nguồn (Vdss)
20V
Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C
7.5A
Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS
15.5 mOhm @ 4A, 4.5V
Vss(th) (Tối đa) @ Id
1.1V @ 250µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS
16nC @ 4.5V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds
1550pF @ 10V
Yêu cầu báo giá
Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.
Trong kho 20845 PCS
Thông tin liên lạc
Những sảm phẩm tương tự
Từ khóa của DMN2016LHAB-7
DMN2016LHAB-7 Linh kiện điện tử
DMN2016LHAB-7 Việc bán hàng
DMN2016LHAB-7 Nhà cung cấp
DMN2016LHAB-7 Nhà phân phối
DMN2016LHAB-7 Bảng dữ liệu
DMN2016LHAB-7 Ảnh
DMN2016LHAB-7 Giá
DMN2016LHAB-7 Lời đề nghị
DMN2016LHAB-7 Giá thấp nhất
DMN2016LHAB-7 Tìm kiếm
DMN2016LHAB-7 Thu mua
DMN2016LHAB-7 Chip