Mua Diodes Incorporated DMN2400UFB4-7 MOSFET N-CH 20V 750MA DFN1006H4

Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.

DataSheets

DMN2400UFB4-7

MOSFET N-CH 20V 750MA DFN1006H4

Mã sản phẩm

DMN2400UFB4-7

Nhà sản xuất/Thương hiệu

Diodes Incorporated

Loạt

Trạng thái một phần

Active

Bao bì

Digi-Reel®

Công nghệ

MOSFET (Metal Oxide)

Nhiệt độ hoạt động

-55°C ~ 150°C (TJ)

Kiểu lắp

Surface Mount

Gói / Thùng

3-XFDFN

Gói thiết bị của nhà cung cấp

X2-DFN1006-3

Tản điện (Tối đa)

470mW (Ta)

Loại FET

N-Channel

Tính năng FET

Xả điện áp nguồn (Vdss)

20V

Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C

750mA (Ta)

Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS

550 mOhm @ 600mA, 4.5V

Vss(th) (Tối đa) @ Id

900mV @ 250µA

Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS

0.5nC @ 4.5V

Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds

36pF @ 16V

Điện áp truyền động (Bật đường tối đa, Bật đường tối thiểu)

1.8V, 4.5V

VSS (Tối đa)

±12V

Yêu cầu báo giá

Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.

Trong kho 29367 PCS

Thông tin liên lạc

Những sảm phẩm tương tự

DMN2004DMK-7

MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT-26