Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
DMT3011LDT-7

DMT3011LDT-7

MOSFET 2N-CH 30V 8A V-DFN3030-8
Mã sản phẩm
DMT3011LDT-7
Nhà sản xuất/Thương hiệu
Loạt
-
Trạng thái một phần
Active
Bao bì
Digi-Reel®
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 155°C (TJ)
Kiểu lắp
Surface Mount
Gói / Thùng
8-VDFN Exposed Pad
Sức mạnh tối đa
1.9W
Gói thiết bị của nhà cung cấp
V-DFN3030-8 (Type K)
Loại FET
2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Tính năng FET
Standard
Xả điện áp nguồn (Vdss)
30V
Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C
8A, 10.7A
Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS
20 mOhm @ 6A, 10V
Vss(th) (Tối đa) @ Id
3V @ 250µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS
13.2nC @ 10V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds
641pF @ 15V
Yêu cầu báo giá
Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.
Trong kho 44013 PCS
Thông tin liên lạc
Từ khóa của DMT3011LDT-7
DMT3011LDT-7 Linh kiện điện tử
DMT3011LDT-7 Việc bán hàng
DMT3011LDT-7 Nhà cung cấp
DMT3011LDT-7 Nhà phân phối
DMT3011LDT-7 Bảng dữ liệu
DMT3011LDT-7 Ảnh
DMT3011LDT-7 Giá
DMT3011LDT-7 Lời đề nghị
DMT3011LDT-7 Giá thấp nhất
DMT3011LDT-7 Tìm kiếm
DMT3011LDT-7 Thu mua
DMT3011LDT-7 Chip