Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
DMT6012LSS-13

DMT6012LSS-13

MOSFET N-CH 60V8SOIC
Mã sản phẩm
DMT6012LSS-13
Nhà sản xuất/Thương hiệu
Trạng thái một phần
Active
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 150°C (TJ)
Kiểu lắp
Surface Mount
Gói / Thùng
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Gói thiết bị của nhà cung cấp
8-SO
Tản điện (Tối đa)
1.2W (Ta)
Loại FET
N-Channel
Xả điện áp nguồn (Vdss)
60V
Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C
10.4A (Ta)
Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS
11 mOhm @ 10A, 10V
Vss(th) (Tối đa) @ Id
2V @ 250µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS
22.2nC @ 10V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds
1522pF @ 30V
VSS (Tối đa)
±20V
Điện áp truyền động (Bật đường tối đa, Bật đường tối thiểu)
4.5V, 10V
Yêu cầu báo giá
Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.
Trong kho 28927 PCS
Thông tin liên lạc
Từ khóa của DMT6012LSS-13
DMT6012LSS-13 Linh kiện điện tử
DMT6012LSS-13 Việc bán hàng
DMT6012LSS-13 Nhà cung cấp
DMT6012LSS-13 Nhà phân phối
DMT6012LSS-13 Bảng dữ liệu
DMT6012LSS-13 Ảnh
DMT6012LSS-13 Giá
DMT6012LSS-13 Lời đề nghị
DMT6012LSS-13 Giá thấp nhất
DMT6012LSS-13 Tìm kiếm
DMT6012LSS-13 Thu mua
DMT6012LSS-13 Chip