Mua GeneSiC Semiconductor GBU4M DIODE BRIDGE 1000V 4A GBU

Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.

DataSheets

GBU4M

DIODE BRIDGE 1000V 4A GBU

Mã sản phẩm

GBU4M

Nhà sản xuất/Thương hiệu

GeneSiC Semiconductor

Loạt

Trạng thái một phần

Active

Bao bì

Bulk

Công nghệ

Standard

Nhiệt độ hoạt động

-55°C ~ 150°C (TJ)

Kiểu lắp

Through Hole

Gói / Thùng

4-SIP, GBU

Gói thiết bị của nhà cung cấp

GBU

Loại điốt

Single Phase

Điện áp - Đảo ngược cực đại (Tối đa)

1kV

Hiện tại - Chỉnh lưu trung bình (Io)

Điện áp - Chuyển tiếp (Vf) (Tối đa) @ If

1.1V @ 4A

Hiện tại - Rò rỉ ngược @ Vr

5µA @ 1000V

Yêu cầu báo giá

Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.

Trong kho 34932 PCS

Thông tin liên lạc