Mua GeneSiC Semiconductor MSRT20060(A)D DIODE GEN PURP 600V 200A 3 TOWER

Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.

Xem thêm thông tin DataSheets

MSRT20060(A)D

DIODE GEN PURP 600V 200A 3 TOWER

Mã sản phẩm

MSRT20060(A)D

Nhà sản xuất/Thương hiệu

GeneSiC Semiconductor

Loạt

Trạng thái một phần

Active

Bao bì

Bulk

Kiểu lắp

Chassis Mount

Gói / Thùng

Three Tower

Gói thiết bị của nhà cung cấp

Three Tower

Loại điốt

Standard

Điện áp - Chuyển tiếp (Vf) (Tối đa) @ If

1.1V @ 200A

Hiện tại - Rò rỉ ngược @ Vr

10µA @ 600V

Cấu hình điốt

1 Pair Series Connection

Điện áp - DC ngược (Vr) (Tối đa)

600V

Hiện tại - Chỉnh lưu trung bình (Io) (trên mỗi Điốt)

200A

Tốc độ

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Thời gian phục hồi ngược (trr)

Nhiệt độ hoạt động - Ngã ba

-55°C ~ 150°C

Yêu cầu báo giá

Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.

Trong kho 24672 PCS

Thông tin liên lạc