GD25S512MDYIGR
NOR FLASH
Mã sản phẩm
GD25S512MDYIGR
Nhà sản xuất/Thương hiệu
Trạng thái một phần
Active
Công nghệ
FLASH - NOR
Nhiệt độ hoạt động
-40°C ~ 85°C (TA)
Kiểu lắp
Surface Mount
Gói / Thùng
8-WDFN Exposed Pad
Gói thiết bị của nhà cung cấp
8-WSON (6x8)
Cung cấp điện áp
2.7 V ~ 3.6 V
Loại bộ nhớ
Non-Volatile
Kích thước bộ nhớ
512Mb (64M x 8)
Tần số đồng hồ
104MHz
Định dạng bộ nhớ
Flash
Thời gian chu kỳ viết - Word, Page
50µs, 2.4ms
Giao diện bộ nhớ
SPI - Quad I/O
Yêu cầu báo giá
Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.
Trong kho 5051 PCS
Thông tin liên lạc
Những sảm phẩm tương tự
Từ khóa của GD25S512MDYIGR
GD25S512MDYIGR Linh kiện điện tử
GD25S512MDYIGR Việc bán hàng
GD25S512MDYIGR Nhà cung cấp
GD25S512MDYIGR Nhà phân phối
GD25S512MDYIGR Bảng dữ liệu
GD25S512MDYIGR Ảnh
GD25S512MDYIGR Giá
GD25S512MDYIGR Lời đề nghị
GD25S512MDYIGR Giá thấp nhất
GD25S512MDYIGR Tìm kiếm
GD25S512MDYIGR Thu mua
GD25S512MDYIGR Chip