Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
GP1M003A090C
MOSFET N-CH 900V 2.5A DPAK
Mã sản phẩm
GP1M003A090C
Nhà sản xuất/Thương hiệu
Loạt
-
Trạng thái một phần
Obsolete
Bao bì
Tape & Reel (TR)
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 150°C (TJ)
Kiểu lắp
Surface Mount
Gói / Thùng
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Gói thiết bị của nhà cung cấp
D-Pak
Tản điện (Tối đa)
94W (Tc)
Loại FET
N-Channel
Tính năng FET
-
Xả điện áp nguồn (Vdss)
900V
Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C
2.5A (Tc)
Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS
5.1 Ohm @ 1.25A, 10V
Vss(th) (Tối đa) @ Id
4V @ 250µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS
17nC @ 10V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds
748pF @ 25V
Điện áp truyền động (Bật đường tối đa, Bật đường tối thiểu)
10V
VSS (Tối đa)
±30V
Yêu cầu báo giá
Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.
Trong kho 19767 PCS
Thông tin liên lạc
Những sảm phẩm tương tự
Từ khóa của GP1M003A090C
GP1M003A090C Linh kiện điện tử
GP1M003A090C Việc bán hàng
GP1M003A090C Nhà cung cấp
GP1M003A090C Nhà phân phối
GP1M003A090C Bảng dữ liệu
GP1M003A090C Ảnh
GP1M003A090C Giá
GP1M003A090C Lời đề nghị
GP1M003A090C Giá thấp nhất
GP1M003A090C Tìm kiếm
GP1M003A090C Thu mua
GP1M003A090C Chip