Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
GP1M006A065F

GP1M006A065F

MOSFET N-CH 650V 5.5A TO220F
Mã sản phẩm
GP1M006A065F
Nhà sản xuất/Thương hiệu
Loạt
-
Trạng thái một phần
Obsolete
Bao bì
Tape & Reel (TR)
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 150°C (TJ)
Kiểu lắp
Through Hole
Gói / Thùng
TO-220-3 Full Pack
Gói thiết bị của nhà cung cấp
TO-220F
Tản điện (Tối đa)
39W (Tc)
Loại FET
N-Channel
Tính năng FET
-
Xả điện áp nguồn (Vdss)
650V
Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C
5.5A (Tc)
Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS
1.6 Ohm @ 2.75A, 10V
Vss(th) (Tối đa) @ Id
4V @ 250µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS
17nC @ 10V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds
1177pF @ 25V
Điện áp truyền động (Bật đường tối đa, Bật đường tối thiểu)
10V
VSS (Tối đa)
±30V
Yêu cầu báo giá
Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.
Trong kho 16120 PCS
Thông tin liên lạc
Từ khóa của GP1M006A065F
GP1M006A065F Linh kiện điện tử
GP1M006A065F Việc bán hàng
GP1M006A065F Nhà cung cấp
GP1M006A065F Nhà phân phối
GP1M006A065F Bảng dữ liệu
GP1M006A065F Ảnh
GP1M006A065F Giá
GP1M006A065F Lời đề nghị
GP1M006A065F Giá thấp nhất
GP1M006A065F Tìm kiếm
GP1M006A065F Thu mua
GP1M006A065F Chip