Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
GP1M009A020PG

GP1M009A020PG

MOSFET N-CH 200V 9A IPAK
Mã sản phẩm
GP1M009A020PG
Nhà sản xuất/Thương hiệu
Loạt
-
Trạng thái một phần
Obsolete
Bao bì
Tape & Reel (TR)
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 150°C (TJ)
Kiểu lắp
Through Hole
Gói / Thùng
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Gói thiết bị của nhà cung cấp
I-PAK
Tản điện (Tối đa)
52W (Tc)
Loại FET
N-Channel
Tính năng FET
-
Xả điện áp nguồn (Vdss)
200V
Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C
9A (Tc)
Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS
400 mOhm @ 4.5A, 10V
Vss(th) (Tối đa) @ Id
5V @ 250µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS
8.6nC @ 10V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds
414pF @ 25V
Điện áp truyền động (Bật đường tối đa, Bật đường tối thiểu)
10V
VSS (Tối đa)
±30V
Yêu cầu báo giá
Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.
Trong kho 34941 PCS
Thông tin liên lạc
Từ khóa của GP1M009A020PG
GP1M009A020PG Linh kiện điện tử
GP1M009A020PG Việc bán hàng
GP1M009A020PG Nhà cung cấp
GP1M009A020PG Nhà phân phối
GP1M009A020PG Bảng dữ liệu
GP1M009A020PG Ảnh
GP1M009A020PG Giá
GP1M009A020PG Lời đề nghị
GP1M009A020PG Giá thấp nhất
GP1M009A020PG Tìm kiếm
GP1M009A020PG Thu mua
GP1M009A020PG Chip