Mua Global Power Technologies Group GSID150A120S6A4 SILICON IGBT MODULES

Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.

Xem thêm thông tin DataSheets

GSID150A120S6A4

SILICON IGBT MODULES

Mã sản phẩm

GSID150A120S6A4

Nhà sản xuất/Thương hiệu

Global Power Technologies Group

Loạt

Amp+™

Trạng thái một phần

Active

Nhiệt độ hoạt động

-40°C ~ 150°C

Kiểu lắp

Chassis Mount

Gói / Thùng

Module

Sức mạnh tối đa

1035W

Cấu hình

Single

Gói thiết bị của nhà cung cấp

Module

Hiện tại - Collector (Ic) (Max)

275A

Điện áp - Sự cố bộ phát cực thu (Tối đa)

1200V

Hiện tại - Ngưỡng thu thập (Tối đa)

1mA

Loại IGBT

Vce(bật) (Tối đa) @ Vge, Ic

1.9V @ 15V, 150A

Điện dung đầu vào (Cies) @ Vce

20.2nF @ 25V

Đầu vào

Standard

Điện trở nhiệt NTC

Yes

Yêu cầu báo giá

Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.

Trong kho 35229 PCS

Thông tin liên lạc