Mua Infineon Technologies AUIRS20161S IC DRVR IGBT/MOSFET 8SOIC

Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.

Xem thêm thông tin DataSheets

AUIRS20161S

IC DRVR IGBT/MOSFET 8SOIC

Mã sản phẩm

AUIRS20161S

Nhà sản xuất/Thương hiệu

Infineon Technologies

Loạt

Automotive, AEC-Q100

Trạng thái một phần

Obsolete

Bao bì

Tube

Kiểu đầu vào

Inverting

Nhiệt độ hoạt động

-55°C ~ 150°C (TJ)

Kiểu lắp

Surface Mount

Gói / Thùng

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Gói thiết bị của nhà cung cấp

8-SOIC

Cung cấp điện áp

4.4 V ~ 6.5 V

Loại kênh

Single

Cấu hình điều khiển

High-Side

Số lượng trình điều khiển

Loại cổng

IGBT, N-Channel MOSFET

Điện áp logic - VIL, VIH

Hiện tại - Sản lượng đỉnh (Nguồn, Chìm)

500mA, 500mA

Điện áp phía cao - Max (Bootstrap)

150V

Thời gian tăng/giảm (loại)

200ns, 200ns

Yêu cầu báo giá

Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.

Trong kho 32596 PCS

Thông tin liên lạc