Mua Infineon Technologies BAS16WE6327HTSA1 DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT323

Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.

DataSheets

BAS16WE6327HTSA1

DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT323

Mã sản phẩm

BAS16WE6327HTSA1

Nhà sản xuất/Thương hiệu

Infineon Technologies

Loạt

Trạng thái một phần

Obsolete

Bao bì

Cut Tape (CT)

Kiểu lắp

Surface Mount

Gói / Thùng

SC-70, SOT-323

Gói thiết bị của nhà cung cấp

PG-SOT323-3

Loại điốt

Standard

Hiện tại - Chỉnh lưu trung bình (Io)

250mA (DC)

Điện áp - Chuyển tiếp (Vf) (Tối đa) @ If

1.25V @ 150mA

Hiện tại - Rò rỉ ngược @ Vr

1µA @ 75V

Điện áp - DC ngược (Vr) (Tối đa)

80V

Tốc độ

Fast Recovery = 200mA (Io)

Thời gian phục hồi ngược (trr)

4ns

Nhiệt độ hoạt động - Ngã ba

150°C (Max)

Điện dung @ Vr, F

2pF @ 0V, 1MHz

Yêu cầu báo giá

Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.

Trong kho 39227 PCS

Thông tin liên lạc