Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
BSB019N03LX G
MOSFET N-CH 30V 174A 2WDSON
Mã sản phẩm
BSB019N03LX G
Nhà sản xuất/Thương hiệu
Loạt
OptiMOS™
Trạng thái một phần
Obsolete
Bao bì
Tape & Reel (TR)
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Nhiệt độ hoạt động
-40°C ~ 150°C (TJ)
Kiểu lắp
Surface Mount
Gói / Thùng
3-WDSON
Gói thiết bị của nhà cung cấp
MG-WDSON-2, CanPAK M™
Tản điện (Tối đa)
2.8W (Ta), 89W (Tc)
Loại FET
N-Channel
Tính năng FET
-
Xả điện áp nguồn (Vdss)
30V
Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C
32A (Ta), 174A (Tc)
Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS
1.9 mOhm @ 30A, 10V
Vss(th) (Tối đa) @ Id
2.2V @ 250µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS
92nC @ 10V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds
8400pF @ 15V
Điện áp truyền động (Bật đường tối đa, Bật đường tối thiểu)
4.5V, 10V
VSS (Tối đa)
±20V
Yêu cầu báo giá
Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.
Trong kho 23993 PCS
Thông tin liên lạc
Những sảm phẩm tương tự
Từ khóa của BSB019N03LX G
BSB019N03LX G Linh kiện điện tử
BSB019N03LX G Việc bán hàng
BSB019N03LX G Nhà cung cấp
BSB019N03LX G Nhà phân phối
BSB019N03LX G Bảng dữ liệu
BSB019N03LX G Ảnh
BSB019N03LX G Giá
BSB019N03LX G Lời đề nghị
BSB019N03LX G Giá thấp nhất
BSB019N03LX G Tìm kiếm
BSB019N03LX G Thu mua
BSB019N03LX G Chip