Mua Infineon Technologies BSC150N03LDGATMA1 MOSFET 2N-CH 30V 8A 8TDSON

Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.

DataSheets

BSC150N03LDGATMA1

MOSFET 2N-CH 30V 8A 8TDSON

Mã sản phẩm

BSC150N03LDGATMA1

Nhà sản xuất/Thương hiệu

Infineon Technologies

Loạt

OptiMOS™

Trạng thái một phần

Active

Bao bì

Cut Tape (CT)

Nhiệt độ hoạt động

-55°C ~ 150°C (TJ)

Kiểu lắp

Surface Mount

Gói / Thùng

8-PowerVDFN

Sức mạnh tối đa

26W

Gói thiết bị của nhà cung cấp

PG-TDSON-8 Dual

Loại FET

2 N-Channel (Dual)

Tính năng FET

Logic Level Gate

Xả điện áp nguồn (Vdss)

30V

Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C

Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS

15 mOhm @ 20A, 10V

Vss(th) (Tối đa) @ Id

2.2V @ 250µA

Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS

13.2nC @ 10V

Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds

1100pF @ 15V

Yêu cầu báo giá

Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.

Trong kho 39001 PCS

Thông tin liên lạc