Mua Infineon Technologies BSO615CGHUMA1 MOSFET N/P-CH 60V 3.1A/2A 8SOIC

Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.

DataSheets

BSO615CGHUMA1

MOSFET N/P-CH 60V 3.1A/2A 8SOIC

Mã sản phẩm

BSO615CGHUMA1

Nhà sản xuất/Thương hiệu

Infineon Technologies

Loạt

SIPMOS®

Trạng thái một phần

Active

Bao bì

Cut Tape (CT)

Nhiệt độ hoạt động

-55°C ~ 150°C (TJ)

Kiểu lắp

Surface Mount

Gói / Thùng

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Sức mạnh tối đa

Gói thiết bị của nhà cung cấp

PG-DSO-8

Loại FET

N and P-Channel

Tính năng FET

Logic Level Gate

Xả điện áp nguồn (Vdss)

60V

Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C

3.1A, 2A

Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS

110 mOhm @ 3.1A, 10V

Vss(th) (Tối đa) @ Id

2V @ 20µA

Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS

22.5nC @ 10V

Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds

380pF @ 25V

Yêu cầu báo giá

Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.

Trong kho 20597 PCS

Thông tin liên lạc