Mua Infineon Technologies BSZ0910NDXTMA1 DIFFERENTIATED MOSFETS

Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.

Xem thêm thông tin DataSheets

BSZ0910NDXTMA1

DIFFERENTIATED MOSFETS

Mã sản phẩm

BSZ0910NDXTMA1

Nhà sản xuất/Thương hiệu

Infineon Technologies

Loạt

OptiMOS™

Trạng thái một phần

Active

Bao bì

Tape & Reel (TR)

Nhiệt độ hoạt động

-55°C ~ 150°C (TJ)

Kiểu lắp

Surface Mount

Gói / Thùng

8-PowerVDFN

Sức mạnh tối đa

1.9W (Ta), 31W (Tc)

Gói thiết bị của nhà cung cấp

PG-WISON-8

Loại FET

2 N-Channel (Dual)

Tính năng FET

Logic Level Gate, 4.5V Drive

Xả điện áp nguồn (Vdss)

30V

Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C

9.5A (Ta), 25A (Tc)

Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS

9.5 mOhm @ 9A, 10V

Vss(th) (Tối đa) @ Id

2V @ 250µA

Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS

5.6nC @ 4.5V

Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds

800pF @ 15V

Yêu cầu báo giá

Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.

Trong kho 16954 PCS

Thông tin liên lạc