Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
IPB114N03L G
MOSFET N-CH 30V 30A TO263-3
Mã sản phẩm
IPB114N03L G
Nhà sản xuất/Thương hiệu
Loạt
OptiMOS™
Trạng thái một phần
Obsolete
Bao bì
Tape & Reel (TR)
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 175°C (TJ)
Kiểu lắp
Surface Mount
Gói / Thùng
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Gói thiết bị của nhà cung cấp
D²PAK (TO-263AB)
Tản điện (Tối đa)
38W (Tc)
Loại FET
N-Channel
Tính năng FET
-
Xả điện áp nguồn (Vdss)
30V
Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C
30A (Tc)
Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS
11.4 mOhm @ 30A, 10V
Vss(th) (Tối đa) @ Id
2.2V @ 250µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS
14nC @ 10V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds
1500pF @ 15V
Điện áp truyền động (Bật đường tối đa, Bật đường tối thiểu)
4.5V, 10V
VSS (Tối đa)
±20V
Yêu cầu báo giá
Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.
Trong kho 21736 PCS
Thông tin liên lạc
Những sảm phẩm tương tự
Từ khóa của IPB114N03L G
IPB114N03L G Linh kiện điện tử
IPB114N03L G Việc bán hàng
IPB114N03L G Nhà cung cấp
IPB114N03L G Nhà phân phối
IPB114N03L G Bảng dữ liệu
IPB114N03L G Ảnh
IPB114N03L G Giá
IPB114N03L G Lời đề nghị
IPB114N03L G Giá thấp nhất
IPB114N03L G Tìm kiếm
IPB114N03L G Thu mua
IPB114N03L G Chip