Mua Infineon Technologies IPB26CNE8N G MOSFET N-CH 85V 35A TO263-3

Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.

Xem thêm thông tin DataSheets

IPB26CNE8N G

MOSFET N-CH 85V 35A TO263-3

Mã sản phẩm

IPB26CNE8N G

Nhà sản xuất/Thương hiệu

Infineon Technologies

Loạt

OptiMOS™

Trạng thái một phần

Discontinued at Digi-Key

Bao bì

Tape & Reel (TR)

Công nghệ

MOSFET (Metal Oxide)

Nhiệt độ hoạt động

-55°C ~ 175°C (TJ)

Kiểu lắp

Surface Mount

Gói / Thùng

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Gói thiết bị của nhà cung cấp

D²PAK (TO-263AB)

Tản điện (Tối đa)

71W (Tc)

Loại FET

N-Channel

Tính năng FET

Xả điện áp nguồn (Vdss)

85V

Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C

35A (Tc)

Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS

26 mOhm @ 35A, 10V

Vss(th) (Tối đa) @ Id

4V @ 39µA

Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS

31nC @ 10V

Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds

2070pF @ 40V

Điện áp truyền động (Bật đường tối đa, Bật đường tối thiểu)

10V

VSS (Tối đa)

±20V

Yêu cầu báo giá

Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.

Trong kho 51913 PCS

Thông tin liên lạc