Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
IPB77N06S212ATMA1
MOSFET N-CH 55V 77A TO263-3
Mã sản phẩm
IPB77N06S212ATMA1
Nhà sản xuất/Thương hiệu
Loạt
OptiMOS™
Trạng thái một phần
Discontinued at Digi-Key
Bao bì
Tape & Reel (TR)
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 175°C (TJ)
Kiểu lắp
Surface Mount
Gói / Thùng
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Gói thiết bị của nhà cung cấp
PG-TO263-3-2
Tản điện (Tối đa)
158W (Tc)
Loại FET
N-Channel
Tính năng FET
-
Xả điện áp nguồn (Vdss)
55V
Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C
77A (Tc)
Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS
11.7 mOhm @ 38A, 10V
Vss(th) (Tối đa) @ Id
4V @ 93µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS
60nC @ 10V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds
1770pF @ 25V
Điện áp truyền động (Bật đường tối đa, Bật đường tối thiểu)
10V
VSS (Tối đa)
±20V
Yêu cầu báo giá
Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.
Trong kho 28119 PCS
Thông tin liên lạc
Những sảm phẩm tương tự
Từ khóa của IPB77N06S212ATMA1
IPB77N06S212ATMA1 Linh kiện điện tử
IPB77N06S212ATMA1 Việc bán hàng
IPB77N06S212ATMA1 Nhà cung cấp
IPB77N06S212ATMA1 Nhà phân phối
IPB77N06S212ATMA1 Bảng dữ liệu
IPB77N06S212ATMA1 Ảnh
IPB77N06S212ATMA1 Giá
IPB77N06S212ATMA1 Lời đề nghị
IPB77N06S212ATMA1 Giá thấp nhất
IPB77N06S212ATMA1 Tìm kiếm
IPB77N06S212ATMA1 Thu mua
IPB77N06S212ATMA1 Chip