Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
IPD100N06S403ATMA1
MOSFET N-CH 60V 100A TO252-3-11
Mã sản phẩm
IPD100N06S403ATMA1
Nhà sản xuất/Thương hiệu
Loạt
OptiMOS™
Trạng thái một phần
Discontinued at Digi-Key
Bao bì
Tape & Reel (TR)
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 175°C (TJ)
Kiểu lắp
Surface Mount
Gói / Thùng
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Gói thiết bị của nhà cung cấp
PG-TO252-3-11
Tản điện (Tối đa)
150W (Tc)
Loại FET
N-Channel
Tính năng FET
-
Xả điện áp nguồn (Vdss)
60V
Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C
100A (Tc)
Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS
3.5 mOhm @ 100A, 10V
Vss(th) (Tối đa) @ Id
4V @ 90µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS
128nC @ 10V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds
10400pF @ 25V
Điện áp truyền động (Bật đường tối đa, Bật đường tối thiểu)
10V
VSS (Tối đa)
±20V
Yêu cầu báo giá
Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến chen_hx1688@hotmail.com, chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.
Trong kho 29298 PCS
Thông tin liên lạc
Những sảm phẩm tương tự
Từ khóa của IPD100N06S403ATMA1
IPD100N06S403ATMA1 Linh kiện điện tử
IPD100N06S403ATMA1 Việc bán hàng
IPD100N06S403ATMA1 Nhà cung cấp
IPD100N06S403ATMA1 Nhà phân phối
IPD100N06S403ATMA1 Bảng dữ liệu
IPD100N06S403ATMA1 Ảnh
IPD100N06S403ATMA1 Giá
IPD100N06S403ATMA1 Lời đề nghị
IPD100N06S403ATMA1 Giá thấp nhất
IPD100N06S403ATMA1 Tìm kiếm
IPD100N06S403ATMA1 Thu mua
IPD100N06S403ATMA1 Chip