Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
IPD110N12N3GBUMA1
MOSFET N-CH 120V 75A TO252-3
Mã sản phẩm
IPD110N12N3GBUMA1
Nhà sản xuất/Thương hiệu
Loạt
OptiMOS™
Trạng thái một phần
Obsolete
Bao bì
Tape & Reel (TR)
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 175°C (TJ)
Kiểu lắp
Surface Mount
Gói / Thùng
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Gói thiết bị của nhà cung cấp
PG-TO252-3
Tản điện (Tối đa)
136W (Tc)
Loại FET
N-Channel
Tính năng FET
-
Xả điện áp nguồn (Vdss)
120V
Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C
75A (Tc)
Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS
11 mOhm @ 75A, 10V
Vss(th) (Tối đa) @ Id
4V @ 83µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS
65nC @ 10V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds
4310pF @ 60V
Điện áp truyền động (Bật đường tối đa, Bật đường tối thiểu)
10V
VSS (Tối đa)
±20V
Yêu cầu báo giá
Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.
Trong kho 15009 PCS
Thông tin liên lạc
Những sảm phẩm tương tự
Từ khóa của IPD110N12N3GBUMA1
IPD110N12N3GBUMA1 Linh kiện điện tử
IPD110N12N3GBUMA1 Việc bán hàng
IPD110N12N3GBUMA1 Nhà cung cấp
IPD110N12N3GBUMA1 Nhà phân phối
IPD110N12N3GBUMA1 Bảng dữ liệu
IPD110N12N3GBUMA1 Ảnh
IPD110N12N3GBUMA1 Giá
IPD110N12N3GBUMA1 Lời đề nghị
IPD110N12N3GBUMA1 Giá thấp nhất
IPD110N12N3GBUMA1 Tìm kiếm
IPD110N12N3GBUMA1 Thu mua
IPD110N12N3GBUMA1 Chip