Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
IPD12CNE8N G
MOSFET N-CH 85V 67A TO252-3
Mã sản phẩm
IPD12CNE8N G
Nhà sản xuất/Thương hiệu
Loạt
OptiMOS™
Trạng thái một phần
Obsolete
Bao bì
Tape & Reel (TR)
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 175°C (TJ)
Kiểu lắp
Surface Mount
Gói / Thùng
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Gói thiết bị của nhà cung cấp
PG-TO252-3
Tản điện (Tối đa)
125W (Tc)
Loại FET
N-Channel
Tính năng FET
-
Xả điện áp nguồn (Vdss)
85V
Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C
67A (Tc)
Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS
12.4 mOhm @ 67A, 10V
Vss(th) (Tối đa) @ Id
4V @ 83µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS
64nC @ 10V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds
4340pF @ 40V
Điện áp truyền động (Bật đường tối đa, Bật đường tối thiểu)
10V
VSS (Tối đa)
±20V
Yêu cầu báo giá
Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.
Trong kho 48725 PCS
Thông tin liên lạc
Những sảm phẩm tương tự
Từ khóa của IPD12CNE8N G
IPD12CNE8N G Linh kiện điện tử
IPD12CNE8N G Việc bán hàng
IPD12CNE8N G Nhà cung cấp
IPD12CNE8N G Nhà phân phối
IPD12CNE8N G Bảng dữ liệu
IPD12CNE8N G Ảnh
IPD12CNE8N G Giá
IPD12CNE8N G Lời đề nghị
IPD12CNE8N G Giá thấp nhất
IPD12CNE8N G Tìm kiếm
IPD12CNE8N G Thu mua
IPD12CNE8N G Chip