Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
IPD135N08N3GBTMA1
MOSFET N-CH 80V 45A TO252-3
Mã sản phẩm
IPD135N08N3GBTMA1
Nhà sản xuất/Thương hiệu
Loạt
OptiMOS™
Trạng thái một phần
Obsolete
Bao bì
Tape & Reel (TR)
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 175°C (TJ)
Kiểu lắp
Surface Mount
Gói / Thùng
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Gói thiết bị của nhà cung cấp
PG-TO252-3
Tản điện (Tối đa)
79W (Tc)
Loại FET
N-Channel
Tính năng FET
-
Xả điện áp nguồn (Vdss)
80V
Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C
45A (Tc)
Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS
13.5 mOhm @ 45A, 10V
Vss(th) (Tối đa) @ Id
3.5V @ 33µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS
25nC @ 10V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds
1730pF @ 40V
Điện áp truyền động (Bật đường tối đa, Bật đường tối thiểu)
6V, 10V
VSS (Tối đa)
±20V
Yêu cầu báo giá
Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.
Trong kho 48012 PCS
Thông tin liên lạc
Những sảm phẩm tương tự
Từ khóa của IPD135N08N3GBTMA1
IPD135N08N3GBTMA1 Linh kiện điện tử
IPD135N08N3GBTMA1 Việc bán hàng
IPD135N08N3GBTMA1 Nhà cung cấp
IPD135N08N3GBTMA1 Nhà phân phối
IPD135N08N3GBTMA1 Bảng dữ liệu
IPD135N08N3GBTMA1 Ảnh
IPD135N08N3GBTMA1 Giá
IPD135N08N3GBTMA1 Lời đề nghị
IPD135N08N3GBTMA1 Giá thấp nhất
IPD135N08N3GBTMA1 Tìm kiếm
IPD135N08N3GBTMA1 Thu mua
IPD135N08N3GBTMA1 Chip