Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
IPD180N10N3GBTMA1

IPD180N10N3GBTMA1

MOSFET N-CH 100V 43A TO252-3
Mã sản phẩm
IPD180N10N3GBTMA1
Nhà sản xuất/Thương hiệu
Loạt
OptiMOS™
Trạng thái một phần
Obsolete
Bao bì
Digi-Reel®
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 175°C (TJ)
Kiểu lắp
Surface Mount
Gói / Thùng
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Gói thiết bị của nhà cung cấp
PG-TO252-3
Tản điện (Tối đa)
71W (Tc)
Loại FET
N-Channel
Tính năng FET
-
Xả điện áp nguồn (Vdss)
100V
Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C
43A (Tc)
Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS
18 mOhm @ 33A, 10V
Vss(th) (Tối đa) @ Id
3.5V @ 33µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS
25nC @ 10V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds
1800pF @ 50V
Điện áp truyền động (Bật đường tối đa, Bật đường tối thiểu)
6V, 10V
VSS (Tối đa)
±20V
Yêu cầu báo giá
Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.
Trong kho 35866 PCS
Thông tin liên lạc
Từ khóa của IPD180N10N3GBTMA1
IPD180N10N3GBTMA1 Linh kiện điện tử
IPD180N10N3GBTMA1 Việc bán hàng
IPD180N10N3GBTMA1 Nhà cung cấp
IPD180N10N3GBTMA1 Nhà phân phối
IPD180N10N3GBTMA1 Bảng dữ liệu
IPD180N10N3GBTMA1 Ảnh
IPD180N10N3GBTMA1 Giá
IPD180N10N3GBTMA1 Lời đề nghị
IPD180N10N3GBTMA1 Giá thấp nhất
IPD180N10N3GBTMA1 Tìm kiếm
IPD180N10N3GBTMA1 Thu mua
IPD180N10N3GBTMA1 Chip