Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
IPD26N06S2L35ATMA1
MOSFET N-CH 55V 30A TO252-3
Mã sản phẩm
IPD26N06S2L35ATMA1
Nhà sản xuất/Thương hiệu
Loạt
OptiMOS™
Trạng thái một phần
Discontinued at Digi-Key
Bao bì
Tape & Reel (TR)
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 175°C (TJ)
Kiểu lắp
Surface Mount
Gói / Thùng
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Gói thiết bị của nhà cung cấp
PG-TO252-3
Tản điện (Tối đa)
68W (Tc)
Loại FET
N-Channel
Tính năng FET
-
Xả điện áp nguồn (Vdss)
55V
Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C
30A (Tc)
Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS
35 mOhm @ 13A, 10V
Vss(th) (Tối đa) @ Id
2V @ 26µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS
24nC @ 10V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds
621pF @ 25V
Điện áp truyền động (Bật đường tối đa, Bật đường tối thiểu)
4.5V, 10V
VSS (Tối đa)
±20V
Yêu cầu báo giá
Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.
Trong kho 29507 PCS
Thông tin liên lạc
Những sảm phẩm tương tự
Từ khóa của IPD26N06S2L35ATMA1
IPD26N06S2L35ATMA1 Linh kiện điện tử
IPD26N06S2L35ATMA1 Việc bán hàng
IPD26N06S2L35ATMA1 Nhà cung cấp
IPD26N06S2L35ATMA1 Nhà phân phối
IPD26N06S2L35ATMA1 Bảng dữ liệu
IPD26N06S2L35ATMA1 Ảnh
IPD26N06S2L35ATMA1 Giá
IPD26N06S2L35ATMA1 Lời đề nghị
IPD26N06S2L35ATMA1 Giá thấp nhất
IPD26N06S2L35ATMA1 Tìm kiếm
IPD26N06S2L35ATMA1 Thu mua
IPD26N06S2L35ATMA1 Chip