Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
IPD30N06S223ATMA1
MOSFET N-CH 55V 30A TO252-3
Mã sản phẩm
IPD30N06S223ATMA1
Nhà sản xuất/Thương hiệu
Loạt
OptiMOS™
Trạng thái một phần
Discontinued at Digi-Key
Bao bì
Tape & Reel (TR)
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 175°C (TJ)
Kiểu lắp
Surface Mount
Gói / Thùng
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Gói thiết bị của nhà cung cấp
PG-TO252-3
Tản điện (Tối đa)
100W (Tc)
Loại FET
N-Channel
Tính năng FET
-
Xả điện áp nguồn (Vdss)
55V
Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C
30A (Tc)
Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS
23 mOhm @ 21A, 10V
Vss(th) (Tối đa) @ Id
4V @ 50µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS
32nC @ 10V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds
901pF @ 25V
Điện áp truyền động (Bật đường tối đa, Bật đường tối thiểu)
10V
VSS (Tối đa)
±20V
Yêu cầu báo giá
Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.
Trong kho 39821 PCS
Thông tin liên lạc
Những sảm phẩm tương tự
Từ khóa của IPD30N06S223ATMA1
IPD30N06S223ATMA1 Linh kiện điện tử
IPD30N06S223ATMA1 Việc bán hàng
IPD30N06S223ATMA1 Nhà cung cấp
IPD30N06S223ATMA1 Nhà phân phối
IPD30N06S223ATMA1 Bảng dữ liệu
IPD30N06S223ATMA1 Ảnh
IPD30N06S223ATMA1 Giá
IPD30N06S223ATMA1 Lời đề nghị
IPD30N06S223ATMA1 Giá thấp nhất
IPD30N06S223ATMA1 Tìm kiếm
IPD30N06S223ATMA1 Thu mua
IPD30N06S223ATMA1 Chip