Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
IPD320N20N3GATMA1
MOSFET N-CH 200V 34A
Mã sản phẩm
IPD320N20N3GATMA1
Nhà sản xuất/Thương hiệu
Loạt
OptiMOS™
Trạng thái một phần
Active
Bao bì
Tape & Reel (TR)
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 175°C (TJ)
Kiểu lắp
Surface Mount
Gói / Thùng
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Gói thiết bị của nhà cung cấp
PG-TO252-3
Tản điện (Tối đa)
136W (Tc)
Loại FET
N-Channel
Tính năng FET
-
Xả điện áp nguồn (Vdss)
200V
Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C
34A (Tc)
Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS
32 mOhm @ 34A, 10V
Vss(th) (Tối đa) @ Id
4V @ 90µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS
29nC @ 10V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds
2350pF @ 100V
Điện áp truyền động (Bật đường tối đa, Bật đường tối thiểu)
10V
VSS (Tối đa)
±20V
Yêu cầu báo giá
Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.
Trong kho 53614 PCS
Thông tin liên lạc
Những sảm phẩm tương tự
Từ khóa của IPD320N20N3GATMA1
IPD320N20N3GATMA1 Linh kiện điện tử
IPD320N20N3GATMA1 Việc bán hàng
IPD320N20N3GATMA1 Nhà cung cấp
IPD320N20N3GATMA1 Nhà phân phối
IPD320N20N3GATMA1 Bảng dữ liệu
IPD320N20N3GATMA1 Ảnh
IPD320N20N3GATMA1 Giá
IPD320N20N3GATMA1 Lời đề nghị
IPD320N20N3GATMA1 Giá thấp nhất
IPD320N20N3GATMA1 Tìm kiếm
IPD320N20N3GATMA1 Thu mua
IPD320N20N3GATMA1 Chip