IPD35N10S3L26ATMA1
MOSFET N-CH 100V 35A TO252-3
Mã sản phẩm
IPD35N10S3L26ATMA1
Nhà sản xuất/Thương hiệu
Loạt
OptiMOS™
Trạng thái một phần
Active
Bao bì
Digi-Reel®
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 175°C (TJ)
Kiểu lắp
Surface Mount
Gói / Thùng
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Gói thiết bị của nhà cung cấp
PG-TO252-3
Tản điện (Tối đa)
71W (Tc)
Loại FET
N-Channel
Tính năng FET
-
Xả điện áp nguồn (Vdss)
100V
Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C
35A (Tc)
Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS
24 mOhm @ 35A, 10V
Vss(th) (Tối đa) @ Id
2.4V @ 39µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS
39nC @ 10V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds
2700pF @ 25V
Điện áp truyền động (Bật đường tối đa, Bật đường tối thiểu)
4.5V, 10V
VSS (Tối đa)
±20V
Yêu cầu báo giá
Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.
Trong kho 42496 PCS
Thông tin liên lạc
Những sảm phẩm tương tự
Từ khóa của IPD35N10S3L26ATMA1
IPD35N10S3L26ATMA1 Linh kiện điện tử
IPD35N10S3L26ATMA1 Việc bán hàng
IPD35N10S3L26ATMA1 Nhà cung cấp
IPD35N10S3L26ATMA1 Nhà phân phối
IPD35N10S3L26ATMA1 Bảng dữ liệu
IPD35N10S3L26ATMA1 Ảnh
IPD35N10S3L26ATMA1 Giá
IPD35N10S3L26ATMA1 Lời đề nghị
IPD35N10S3L26ATMA1 Giá thấp nhất
IPD35N10S3L26ATMA1 Tìm kiếm
IPD35N10S3L26ATMA1 Thu mua
IPD35N10S3L26ATMA1 Chip