Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
IPD50R399CP
MOSFET N-CH 550V 9A TO-252
Mã sản phẩm
IPD50R399CP
Nhà sản xuất/Thương hiệu
Loạt
CoolMOS™
Trạng thái một phần
Obsolete
Bao bì
Tape & Reel (TR)
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 150°C (TJ)
Kiểu lắp
Surface Mount
Gói / Thùng
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Gói thiết bị của nhà cung cấp
PG-TO252-3
Tản điện (Tối đa)
83W (Tc)
Loại FET
N-Channel
Tính năng FET
-
Xả điện áp nguồn (Vdss)
550V
Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C
9A (Tc)
Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS
399 mOhm @ 4.9A, 10V
Vss(th) (Tối đa) @ Id
3.5V @ 330µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS
23nC @ 10V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds
890pF @ 100V
Điện áp truyền động (Bật đường tối đa, Bật đường tối thiểu)
10V
VSS (Tối đa)
±20V
Yêu cầu báo giá
Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.
Trong kho 35142 PCS
Thông tin liên lạc
Những sảm phẩm tương tự
Từ khóa của IPD50R399CP
IPD50R399CP Linh kiện điện tử
IPD50R399CP Việc bán hàng
IPD50R399CP Nhà cung cấp
IPD50R399CP Nhà phân phối
IPD50R399CP Bảng dữ liệu
IPD50R399CP Ảnh
IPD50R399CP Giá
IPD50R399CP Lời đề nghị
IPD50R399CP Giá thấp nhất
IPD50R399CP Tìm kiếm
IPD50R399CP Thu mua
IPD50R399CP Chip