Mua Infineon Technologies IPD50R650CEBTMA1 MOSFET N CH 500V 6.1A PG-TO252

Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.

Xem thêm thông tin DataSheets

IPD50R650CEBTMA1

MOSFET N CH 500V 6.1A PG-TO252

Mã sản phẩm

IPD50R650CEBTMA1

Nhà sản xuất/Thương hiệu

Infineon Technologies

Loạt

CoolMOS™

Trạng thái một phần

Discontinued at Digi-Key

Bao bì

Tape & Reel (TR)

Công nghệ

MOSFET (Metal Oxide)

Nhiệt độ hoạt động

-55°C ~ 150°C (TJ)

Kiểu lắp

Surface Mount

Gói / Thùng

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Gói thiết bị của nhà cung cấp

PG-TO252-3

Tản điện (Tối đa)

47W (Tc)

Loại FET

N-Channel

Tính năng FET

Xả điện áp nguồn (Vdss)

500V

Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C

6.1A (Tc)

Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS

650 mOhm @ 1.8A, 13V

Vss(th) (Tối đa) @ Id

3.5V @ 150µA

Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS

15nC @ 10V

Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds

342pF @ 100V

Điện áp truyền động (Bật đường tối đa, Bật đường tối thiểu)

13V

VSS (Tối đa)

±20V

Yêu cầu báo giá

Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.

Trong kho 31448 PCS

Thông tin liên lạc