Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
IPD60R380E6ATMA2
MOSFET NCH 600V 10.6A TO252
Mã sản phẩm
IPD60R380E6ATMA2
Nhà sản xuất/Thương hiệu
Loạt
CoolMOS™
Trạng thái một phần
Last Time Buy
Bao bì
Bulk
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 150°C (TJ)
Kiểu lắp
Surface Mount
Gói / Thùng
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Gói thiết bị của nhà cung cấp
PG-TO252-3
Tản điện (Tối đa)
83W (Tc)
Loại FET
N-Channel
Tính năng FET
Super Junction
Xả điện áp nguồn (Vdss)
600V
Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C
10.6A (Tc)
Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS
380 mOhm @ 3.8A, 10V
Vss(th) (Tối đa) @ Id
3.5V @ 300µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS
32nC @ 10V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds
700pF @ 100V
Điện áp truyền động (Bật đường tối đa, Bật đường tối thiểu)
10V
VSS (Tối đa)
±20V
Yêu cầu báo giá
Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.
Trong kho 41552 PCS
Thông tin liên lạc
Những sảm phẩm tương tự
Từ khóa của IPD60R380E6ATMA2
IPD60R380E6ATMA2 Linh kiện điện tử
IPD60R380E6ATMA2 Việc bán hàng
IPD60R380E6ATMA2 Nhà cung cấp
IPD60R380E6ATMA2 Nhà phân phối
IPD60R380E6ATMA2 Bảng dữ liệu
IPD60R380E6ATMA2 Ảnh
IPD60R380E6ATMA2 Giá
IPD60R380E6ATMA2 Lời đề nghị
IPD60R380E6ATMA2 Giá thấp nhất
IPD60R380E6ATMA2 Tìm kiếm
IPD60R380E6ATMA2 Thu mua
IPD60R380E6ATMA2 Chip