Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
IPD60R3K3C6
MOSFET N-CH 600V 1.7A TO252-3
Mã sản phẩm
IPD60R3K3C6
Nhà sản xuất/Thương hiệu
Loạt
CoolMOS™
Trạng thái một phần
Obsolete
Bao bì
Tape & Reel (TR)
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 150°C (TJ)
Kiểu lắp
Surface Mount
Gói / Thùng
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Gói thiết bị của nhà cung cấp
PG-TO252-3
Tản điện (Tối đa)
18.1W (Tc)
Loại FET
N-Channel
Tính năng FET
-
Xả điện áp nguồn (Vdss)
600V
Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C
1.7A (Tc)
Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS
3.3 Ohm @ 500mA, 10V
Vss(th) (Tối đa) @ Id
3.5V @ 40µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS
4.6nC @ 10V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds
93pF @ 100V
Điện áp truyền động (Bật đường tối đa, Bật đường tối thiểu)
10V
VSS (Tối đa)
±20V
Yêu cầu báo giá
Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.
Trong kho 34848 PCS
Thông tin liên lạc
Những sảm phẩm tương tự
Từ khóa của IPD60R3K3C6
IPD60R3K3C6 Linh kiện điện tử
IPD60R3K3C6 Việc bán hàng
IPD60R3K3C6 Nhà cung cấp
IPD60R3K3C6 Nhà phân phối
IPD60R3K3C6 Bảng dữ liệu
IPD60R3K3C6 Ảnh
IPD60R3K3C6 Giá
IPD60R3K3C6 Lời đề nghị
IPD60R3K3C6 Giá thấp nhất
IPD60R3K3C6 Tìm kiếm
IPD60R3K3C6 Thu mua
IPD60R3K3C6 Chip