Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
IPD90R1K2C3BTMA1
MOSFET N-CH 900V 5.1A TO-252
Mã sản phẩm
IPD90R1K2C3BTMA1
Nhà sản xuất/Thương hiệu
Loạt
CoolMOS™
Trạng thái một phần
Obsolete
Bao bì
Tape & Reel (TR)
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 150°C (TJ)
Kiểu lắp
Surface Mount
Gói / Thùng
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Gói thiết bị của nhà cung cấp
PG-TO252-3
Tản điện (Tối đa)
83W (Tc)
Loại FET
N-Channel
Tính năng FET
-
Xả điện áp nguồn (Vdss)
900V
Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C
5.1A (Tc)
Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS
1.2 Ohm @ 2.8A, 10V
Vss(th) (Tối đa) @ Id
3.5V @ 310µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS
28nC @ 10V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds
710pF @ 100V
Điện áp truyền động (Bật đường tối đa, Bật đường tối thiểu)
10V
VSS (Tối đa)
±20V
Yêu cầu báo giá
Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.
Trong kho 24792 PCS
Thông tin liên lạc
Những sảm phẩm tương tự
Từ khóa của IPD90R1K2C3BTMA1
IPD90R1K2C3BTMA1 Linh kiện điện tử
IPD90R1K2C3BTMA1 Việc bán hàng
IPD90R1K2C3BTMA1 Nhà cung cấp
IPD90R1K2C3BTMA1 Nhà phân phối
IPD90R1K2C3BTMA1 Bảng dữ liệu
IPD90R1K2C3BTMA1 Ảnh
IPD90R1K2C3BTMA1 Giá
IPD90R1K2C3BTMA1 Lời đề nghị
IPD90R1K2C3BTMA1 Giá thấp nhất
IPD90R1K2C3BTMA1 Tìm kiếm
IPD90R1K2C3BTMA1 Thu mua
IPD90R1K2C3BTMA1 Chip