Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
IPI126N10N3 G
MOSFET N-CH 100V 58A TO262-3
Mã sản phẩm
IPI126N10N3 G
Nhà sản xuất/Thương hiệu
Loạt
OptiMOS™
Trạng thái một phần
Obsolete
Bao bì
Tube
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 175°C (TJ)
Kiểu lắp
Through Hole
Gói / Thùng
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Gói thiết bị của nhà cung cấp
PG-TO262-3
Tản điện (Tối đa)
94W (Tc)
Loại FET
N-Channel
Tính năng FET
-
Xả điện áp nguồn (Vdss)
100V
Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C
58A (Tc)
Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS
12.6 mOhm @ 46A, 10V
Vss(th) (Tối đa) @ Id
3.5V @ 46µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS
35nC @ 10V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds
2500pF @ 50V
Điện áp truyền động (Bật đường tối đa, Bật đường tối thiểu)
6V, 10V
VSS (Tối đa)
±20V
Yêu cầu báo giá
Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.
Trong kho 13918 PCS
Thông tin liên lạc
Những sảm phẩm tương tự
Từ khóa của IPI126N10N3 G
IPI126N10N3 G Linh kiện điện tử
IPI126N10N3 G Việc bán hàng
IPI126N10N3 G Nhà cung cấp
IPI126N10N3 G Nhà phân phối
IPI126N10N3 G Bảng dữ liệu
IPI126N10N3 G Ảnh
IPI126N10N3 G Giá
IPI126N10N3 G Lời đề nghị
IPI126N10N3 G Giá thấp nhất
IPI126N10N3 G Tìm kiếm
IPI126N10N3 G Thu mua
IPI126N10N3 G Chip