Mua Infineon Technologies IPL60R105P7AUMA1 MOSFET N-CH 4VSON

Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.

DataSheets

IPL60R105P7AUMA1

MOSFET N-CH 4VSON

Mã sản phẩm

IPL60R105P7AUMA1

Nhà sản xuất/Thương hiệu

Infineon Technologies

Loạt

CoolMOS™ P7

Trạng thái một phần

Active

Bao bì

Digi-Reel®

Công nghệ

MOSFET (Metal Oxide)

Nhiệt độ hoạt động

-40°C ~ 150°C (TJ)

Kiểu lắp

Surface Mount

Gói / Thùng

4-PowerTSFN

Gói thiết bị của nhà cung cấp

PG-VSON-4

Tản điện (Tối đa)

137W (Tc)

Loại FET

N-Channel

Tính năng FET

Xả điện áp nguồn (Vdss)

650V

Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C

33A (Tc)

Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS

105 mOhm @ 10.5A, 10V

Vss(th) (Tối đa) @ Id

4V @ 530µA

Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS

45nC @ 10V

Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds

1952pF @ 400V

Điện áp truyền động (Bật đường tối đa, Bật đường tối thiểu)

10V

VSS (Tối đa)

±20V

Yêu cầu báo giá

Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến chen_hx1688@hotmail.com, chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.

Trong kho 52426 PCS

Thông tin liên lạc