Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
IPP028N08N3GXKSA1

IPP028N08N3GXKSA1

MOSFET N-CH 80V 100A TO220-3
Mã sản phẩm
IPP028N08N3GXKSA1
Nhà sản xuất/Thương hiệu
Loạt
OptiMOS™
Trạng thái một phần
Active
Bao bì
Tube
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 175°C (TJ)
Kiểu lắp
Through Hole
Gói / Thùng
TO-220-3
Gói thiết bị của nhà cung cấp
PG-TO-220-3
Tản điện (Tối đa)
300W (Tc)
Loại FET
N-Channel
Tính năng FET
-
Xả điện áp nguồn (Vdss)
80V
Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C
100A (Tc)
Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS
2.8 mOhm @ 100A, 10V
Vss(th) (Tối đa) @ Id
3.5V @ 270µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS
206nC @ 10V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds
14200pF @ 40V
Điện áp truyền động (Bật đường tối đa, Bật đường tối thiểu)
6V, 10V
VSS (Tối đa)
±20V
Yêu cầu báo giá
Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.
Trong kho 16811 PCS
Thông tin liên lạc
Từ khóa của IPP028N08N3GXKSA1
IPP028N08N3GXKSA1 Linh kiện điện tử
IPP028N08N3GXKSA1 Việc bán hàng
IPP028N08N3GXKSA1 Nhà cung cấp
IPP028N08N3GXKSA1 Nhà phân phối
IPP028N08N3GXKSA1 Bảng dữ liệu
IPP028N08N3GXKSA1 Ảnh
IPP028N08N3GXKSA1 Giá
IPP028N08N3GXKSA1 Lời đề nghị
IPP028N08N3GXKSA1 Giá thấp nhất
IPP028N08N3GXKSA1 Tìm kiếm
IPP028N08N3GXKSA1 Thu mua
IPP028N08N3GXKSA1 Chip