Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
IPP080N06N G

IPP080N06N G

MOSFET N-CH 60V 80A TO-220
Mã sản phẩm
IPP080N06N G
Nhà sản xuất/Thương hiệu
Loạt
OptiMOS™
Trạng thái một phần
Obsolete
Bao bì
Tube
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 175°C (TJ)
Kiểu lắp
Through Hole
Gói / Thùng
TO-220-3
Gói thiết bị của nhà cung cấp
PG-TO220-3-1
Tản điện (Tối đa)
214W (Tc)
Loại FET
N-Channel
Tính năng FET
-
Xả điện áp nguồn (Vdss)
60V
Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C
80A (Tc)
Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS
8 mOhm @ 80A, 10V
Vss(th) (Tối đa) @ Id
4V @ 150µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS
93nC @ 10V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds
3500pF @ 30V
Điện áp truyền động (Bật đường tối đa, Bật đường tối thiểu)
10V
VSS (Tối đa)
±20V
Yêu cầu báo giá
Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.
Trong kho 30130 PCS
Thông tin liên lạc
Từ khóa của IPP080N06N G
IPP080N06N G Linh kiện điện tử
IPP080N06N G Việc bán hàng
IPP080N06N G Nhà cung cấp
IPP080N06N G Nhà phân phối
IPP080N06N G Bảng dữ liệu
IPP080N06N G Ảnh
IPP080N06N G Giá
IPP080N06N G Lời đề nghị
IPP080N06N G Giá thấp nhất
IPP080N06N G Tìm kiếm
IPP080N06N G Thu mua
IPP080N06N G Chip